RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2826
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link