RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
84
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
84
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1574
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link