RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3337
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link