RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3420
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link