RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
4084
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link