RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2821
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link