RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2659
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link