RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2913
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link