RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3707
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link