RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
69
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
15.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3707
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link