RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3933
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link