RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
4276
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link