RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
23.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
69
Por volta de -165% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.0
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
19.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
4276
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link