RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
69
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2169
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link