RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2462
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link