RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2462
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link