RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2377
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link