RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3467
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link