RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2384
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link