RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3665
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link