RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2438
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link