RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2436
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link