RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2468
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link