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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
69
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
34
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2468
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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