RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
69
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3448
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link