RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2591
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link