RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
71
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1863
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link