RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
71
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
1863
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link