RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
71
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
1863
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link