RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2744
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KINGSTON 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link