RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2744
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link