RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
1,906.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,323.0
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.1
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
703
2317
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link