RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
68
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3080
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link