RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
68
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3080
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link