RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
68
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3080
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link