RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
68
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3402
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link