RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
68
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2129
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link