RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2505
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link