RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
68
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2505
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link