RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
24.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
68
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.7
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
24.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
4300
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link