RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
68
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3837
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link