RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3259
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link