RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
68
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.5
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
12.8
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3259
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link