RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
68
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3515
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link