RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
68
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
3515
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link