RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
32
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2895
2925
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link