Comparaison de la RAM Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Note globale

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 19200

Autour de 1.11% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 32

Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16 15

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.5 10.3

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2895 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns