RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2895
2925
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link