Confronto tra le RAM Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 19200

Intorno 1.11% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 32

Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 15

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.5 10.3

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2895 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns