RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
68
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2091
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link