RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
68
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3007
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Super Talent F21UB8GS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link