RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
68
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2899
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link