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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston KMKYF9-HYA 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
68
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
23
读取速度,GB/s
3,886.6
16.9
写入速度,GB/s
1,702.6
12.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
2899
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
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