RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
68
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
59
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2025
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link